| الصانع الجزء رقم |
HTNFET-T |
الفئة |
منتجات أشباه الموصلات المنفصلة |
| الصانع |
Honeywell Microelectronics & Precision Sensors |
وصف |
MOSFET N-CH 55V 4-PIN |
| حزمة / القضية |
Bulk |
الكمية متاحة |
Available Stock |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد |
2.4V @ 100µA |
فغس (ماكس) |
10V |
| تكنولوجيا |
MOSFET (Metal Oxide) |
تجار الأجهزة حزمة |
4-Power Tab |
| سلسلة |
HTMOS™ |
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS |
400 mOhm @ 100mA, 5V |
| تبديد الطاقة (ماكس) |
50W (Tj) |
التعبئة والتغليف |
Bulk |
| حزمة / كيس |
4-SIP |
درجة حرارة التشغيل |
-55°C ~ 225°C (TJ) |
| تصاعد نوع |
Through Hole |
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس |
290pF @ 28V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس |
4.3nC @ 5V |
نوع FET |
N-Channel |
| FET الميزة |
- |
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) |
5V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) |
55V |
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C |
- |
