| HTNFET-T | |
|---|---|
| Part Number | HTNFET-T |
| Výrobce | Honeywell Microelectronics & Precision Sensors |
| Popis | MOSFET N-CH 55V 4-PIN |
| Dostupné množství | Žádost o akci a nabídku |
| ECAD model | |
| Datasheety | HTNFET-T.pdf |
| HTNFET-T Price |
Požadavek na cenu a dobu trvání online or Email us: Info@ariat.hk |
| Technické informace HTNFET-T | |||
|---|---|---|---|
| Číslo součásti výrobce | HTNFET-T | Kategorie | Diskrétní polovodičové produkty |
| Výrobce | Honeywell Microelectronics & Precision Sensors | Popis | MOSFET N-CH 55V 4-PIN |
| Balení / pouzdro | Bulk | Dostupné množství | Available Stock |
| Vgs (th) (max) 'Id | 2.4V @ 100µA | Vgs (Max) | 10V |
| Technika | MOSFET (Metal Oxide) | Dodavatel zařízení Package | 4-Power Tab |
| Série | HTMOS™ | RDS On (Max) @ Id, Vgs | 400 mOhm @ 100mA, 5V |
| Ztráta energie (Max) | 50W (Tj) | Obal | Bulk |
| Paket / krabice | 4-SIP | Provozní teplota | -55°C ~ 225°C (TJ) |
| Typ montáže | Through Hole | Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds | 290pF @ 28V |
| Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs | 4.3nC @ 5V | Typ FET | N-Channel |
| FET Feature | - | Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.) | 5V |
| Drain na zdroj napětí (Vdss) | 55V | Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C | - |
| Související díly pro HTNFET-T | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| obraz | Part Number | Popis | Výrobce | Získejte nabídku | |
 |
HTNFET-DC | MOSFET N-CH 55V 8-DIP | Honeywell Microelectronics & Precision Sensors | ||
|
HTNFET-TC | MOSFET N-CH 55V 4-PIN | Honeywell Microelectronics & Precision Sensors | ||
 |
IPB50R250CPATMA1 | MOSFET N-CH 550V 13A TO-263 | Infineon Technologies | ||
 |
DMTH10H030LK3-13 | MOSFET NCH 100V 28A TO252 | Diodes Incorporated | ||
 |
PSMN004-60P,127 | MOSFET N-CH 60V 75A TO220AB | NXP USA Inc. | ||
 |
PSMN7R5-25YLC,115 | MOSFET N-CH 25V 56A LL LFPAK | NXP USA Inc. | ||
 |
AUXS20956S | MOSFET N-CH 16SOIC | Infineon Technologies | ||
 |
STH275N8F7-6AG | MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-6 | N/A | ||
 |
BSC080N03MSGATMA1 | MOSFET N-CH 30V 53A TDSON-8 | Infineon Technologies | ||
|
HTNFET-D | MOSFET N-CH 55V 8-DIP | Honeywell Microelectronics & Precision Sensors | ||
 |
IXTH30N50L2 | MOSFET N-CH 500V 30A TO-247 | IXYS | ||
 |
IRFR214 | MOSFET N-CH 250V 2.2A DPAK | Vishay Siliconix | ||
 |
RRS075P03TB1 | MOSFET P-CH 30V 7.5A 8SOIC | Rohm Semiconductor | ||
|
FQPF18N50V2 | MOSFET N-CH 500V 18A TO-220F | N/A | ||
|
FDC633N | MOSFET N-CH 30V 5.2A SSOT-6 | N/A | ||
|
STW56N65M2 | MOSFET N-CH 650V 49A TO247 | N/A | ||
|
IRFS4310ZTRLPBF | MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK | Infineon Technologies | ||
 |
IRL3402PBF | MOSFET N-CH 20V 85A TO-220AB | Infineon Technologies | ||
|
STQ1HNK60R-AP | MOSFET N-CH 600V 400MA TO-92 | N/A | ||
|
IXFH94N30P3 | MOSFET N-CH 300V 94A TO-247 | IXYS | ||
Zprávy
Více
Mezi funkce patří: Ochrana šifrovacího klíče Hardwarové urychlovače šifrování pro AES, 3D...
Až čtyři napájecí zdroje mohou být plně sekvencovány jediným zařízením nebo více zaří...
Technologie Xsens je používána společnostmi počítačových her, filmovými tvůrci a klinikami...
Leti a Leti je biomedicínské výzkumné centrum Clinatec, se zaměří na sub-soubor programu Cort...
Určeno pro bezkartáčové řízení DC a permanentních magnetů se synchronním motorem, které s...
Nové produkty
Více
MAX22502E Vysílač s přijímačem RS-485 / RS-422 Maxim Integrated nabízí vysokorychlostní, pln...
Řada RM1A s nulovým spínáním polovodičových relé Řada RM1A řady RMAA řady Carlo Gavazzi s...
Aby bylo možné řešit vaše výzvy v oblasti napájení, vyvinul CUI komplexní portfolio AC-DC n...
DGD2136 Ovladač třífázové polovodičové brány Plně integrovaný 3-fázový ovladač brány 6...
Stykač řady CC Cario Gavazzi CC série midi-stykače pro použití v různých průmyslových pot...
E-mailem: Info@ariat.hkHK TEL: +00 852-30501900PŘIDAT: Rm 2703 27F Ho King Comm Center 2-16,
Fa Yuen St MongKok Kowloon Hong Kong.
Oznámení o autorských právech © 1996-2025 Ariat Technology Limited.Všechna práva vyhrazena.