FQD3P50TM_F085 | |
---|---|
Osa numero | FQD3P50TM_F085 |
Valmistaja | N/A |
Kuvaus | MOSFET P-CH 500V 2.1A DPAK |
Määrä saatavilla | Pyydä Stock & Quotation |
ECAD -malli | |
lomakkeissa | FQD3P50TM_F085.pdf |
FQD3P50TM_F085 Price |
Pyydä hinta & lead time online or Email us: Info@ariat.hk |
FQD3P50TM_F085: n tekniset tiedot | |||
---|---|---|---|
Valmistajan osanumero | FQD3P50TM_F085 | Kategoria | Discrete Semiconductor Products |
Valmistaja | N/A | Kuvaus | MOSFET P-CH 500V 2.1A DPAK |
Pakkaus / kotelo | Tape & Reel (TR) | Määrä saatavilla | Available Stock |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA | teknologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package | D-Pak | Sarja | Automotive, AEC-Q101, QFET® |
RDS (Max) @ Id, Vgs | 4.9 Ohm @ 1.05A, 10V | Tehonkulutus (Max) | 2.5W (Ta), 50W (Tc) |
Pakkaus | Tape & Reel (TR) | Pakkaus / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Käyttölämpötila | -55°C ~ 150°C (TJ) | Asennustyyppi | Surface Mount |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds | 660pF @ 25V | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23nC @ 10V |
FET tyyppi | P-Channel | FET Ominaisuus | - |
Valua lähde jännite (Vdss) | 500V | Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C | 2.1A (Tc) |
FQD3P50TM_F085: n vastaavat osat | |||||
---|---|---|---|---|---|
Kuva | Osa numero | Kuvaus | Valmistaja | Saat lainata | |
FQD4N20TM | MOSFET N-CH 200V 3A DPAK | N/A | |||
FQD3P20TM | MOSFET P-CH 200V 2.4A DPAK | N/A | |||
FQD3N50CTF | MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK | N/A | |||
FQD4N25TM | MOSFET N-CH 250V 3A DPAK | N/A | |||
FQD3N60TM | MOSFET N-CH 600V 2.4A DPAK | N/A | |||
FQD3P50TM | MOSFET P-CH 500V 2.1A DPAK | N/A | |||
FQD4N20LTF | MOSFET N-CH 200V 3.2A DPAK | N/A | |||
FQD3N40TM | MOSFET N-CH 400V 2A DPAK | N/A | |||
FQD4N50TM_WS | MOSFET N-CH 500V 2.6A DPAK | N/A | |||
FQD4N20LTM | MOSFET N-CH 200V 3.2A DPAK | N/A | |||
FQD3N50CTM | MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK | N/A | |||
FQD3P50TF | MOSFET P-CH 500V 2.1A DPAK | N/A | |||
FQD4N50TF | MOSFET N-CH 500V 2.6A DPAK | N/A | |||
FQD4N50TM | MOSFET N-CH 500V 2.6A DPAK | N/A | |||
FQD3N60TF | MOSFET N-CH 600V 2.4A DPAK | N/A | |||
FQD4N25TM_WS | MOSFET N-CH 250V 3A DPAK | N/A | |||
FQD3N60CTM_WS | MOSFET N-CH 600V 2.4A DPAK | N/A | |||
FQD4N20TF | MOSFET N-CH 200V 3A DPAK | N/A | |||
FQD3P20TF | MOSFET P-CH 200V 2.4A DPAK | N/A | |||
FQD4N25TF | MOSFET N-CH 250V 3A DPAK | N/A |
Uutiset
LisääOminaisuuksiin kuuluu: Salausavaimen suojaus Laitteiston salauskiihdyttimet AES: lle, 3DES: lle ja S...
Jopa neljää virtalähdettä voidaan täysin sekvensoida yhdellä laitteella tai useita laitteita v...
Xsens-tekniikkaa käyttävät tietokonepelayhtiöt, elokuvantekijät ja lääkärit, jotta seurataan...
Leti ja Letin biotekniikan tutkimuskeskus Clinatec keskittyy CorticalSight-ohjelman osa-alueeseen, j...
Tarkoitettu harjattomiin DC- ja kestomagneettien synkronimoottoreihin, joita löytyy kodinkoneista, ...
Uudet tuotteet
LisääMAX22502E RS-485 / RS-422 -lähetin-vastaanotin Maxim Integrated tarjoaa nopean, täysduplexin RS-48...
RM1A-sarjan nollavirtaiset kiinteät releet Carlo Gavazzi RM1A-sarjan nolla-kytkentä kiinteän tila...
CUI on kehittänyt kattavan valikoiman AC-DC-virtalähteitä ja DC-DC-muuntimia. Näitä virtalähte...
DGD2136 3-vaiheinen puolisiltaportin ohjain Diodien täysin integroitu kolmivaiheinen 600 V: n porti...
CC-sarjan kontaktori Carlo Gavazziin CC-sarjan midi-kontaktorit käytettäviksi erilaisissa teollisi...
Sähköposti: Info@ariat.hkHK TEL: +00 852-30501900LISÄTÄ: Rm 2703 27F Ho King Comm Center 2-16,
Fa Yuen St MongKok Kowloon Hong Kong.