| HTNFET-T | |
|---|---|
| Modèle de produit | HTNFET-T |
| Fabricant | Honeywell Microelectronics & Precision Sensors |
| La description | MOSFET N-CH 55V 4-PIN |
| Quantité disponible | Demande de stock et de devis |
| Modèle ECAD | |
| Feuilles de données | HTNFET-T.pdf |
| HTNFET-T Price |
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| Informations techniques de HTNFET-T | |||
|---|---|---|---|
| Référence fabricant | HTNFET-T | Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets |
| Fabricant | Honeywell Microelectronics & Precision Sensors | La description | MOSFET N-CH 55V 4-PIN |
| Paquet / cas | Bulk | Quantité disponible | Available Stock |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 100µA | Vgs (Max) | 10V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Package composant fournisseur | 4-Power Tab |
| Séries | HTMOS™ | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400 mOhm @ 100mA, 5V |
| Dissipation de puissance (max) | 50W (Tj) | Emballage | Bulk |
| Package / Boîte | 4-SIP | Température de fonctionnement | -55°C ~ 225°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole | Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 290pF @ 28V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 4.3nC @ 5V | type de FET | N-Channel |
| Fonction FET | - | Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 5V |
| Tension drain-source (Vdss) | 55V | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | - |
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| Image | Modèle de produit | La description | Fabricant | Obtenir un devis | |
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