IXFN102N30P
Modèle de produit IXFN102N30P
Fabricant IXYS Corporation
La description MOSFET N-CH 300V 88A SOT227B
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Modèle ECAD
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Informations techniques de IXFN102N30P
Référence fabricant IXFN102N30P Catégorie Produits semi-conducteurs discrets
Fabricant IXYS Corporation La description MOSFET N-CH 300V 88A SOT227B
Paquet / cas Tube Quantité disponible Available Stock
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 4mA La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur SOT-227B Séries PolarHV™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 33 mOhm @ 500mA, 10V Dissipation de puissance (max) 600W (Tc)
Emballage Tube Package / Boîte SOT-227-4, miniBLOC
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) Type de montage Chassis Mount
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 7500pF @ 25V Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 224nC @ 10V
type de FET N-Channel Fonction FET -
Tension drain-source (Vdss) 300V Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 88A
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