| RN1314(TE85L,F) | |
|---|---|
| 제품 모델 | RN1314(TE85L,F) |
| 제조사 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 기술 | TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM |
| 가능 수량 | 주식 및 견적 요청 |
| ECAD 모델 | |
| 데이터 시트 | RN1314(TE85L,F).pdf |
| RN1314(TE85L,F) Price |
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| RN1314(TE85L,F)의 기술 정보 | |||
|---|---|---|---|
| 제조업체 부품 번호 | RN1314(TE85L,F) | 범주 | 이산 반도체 제품 |
| 제조사 | Toshiba Semiconductor and Storage | 기술 | TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM |
| 패키지 / 케이스 | Tape & Reel (TR) | 가능 수량 | Available Stock |
| 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) | 50V | IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대) | 300mV @ 250µA, 5mA |
| 트랜지스터 유형 | NPN - Pre-Biased | 제조업체 장치 패키지 | USM |
| 연속 | - | 저항 - 에미 터베이스 (R2) (옴) | 10k |
| 저항기 -베이스 (R1) (옴) | 1k | 전력 - 최대 | 100mW |
| 포장 | Tape & Reel (TR) | 패키지 / 케이스 | SC-70, SOT-323 |
| 실장 형 | Surface Mount | 주파수 - 전환 | 250MHz |
| IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가 | 50 @ 10mA, 5V | 전류 - 콜렉터 컷오프 (최대) | 500nA |
| 전류 - 콜렉터 (IC) (최대) | 100mA |
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| 영상 | 제품 모델 | 기술 | 제조사 | 견적 | |
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