HTNFET-T
Modelo do Produto HTNFET-T
Fabricante Honeywell Microelectronics & Precision Sensors
Descrição MOSFET N-CH 55V 4-PIN
Quantidade Disponível Solicitar Stock & Quotation
Modelo ECAD
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Informações técnicas da HTNFET-T
Número de peça do fabricante HTNFET-T Categoria Discrete Semiconductor Products
Fabricante Honeywell Microelectronics & Precision Sensors Descrição MOSFET N-CH 55V 4-PIN
Pacote / Caso Bulk Quantidade Disponível Available Stock
VGS (th) (Max) @ Id 2.4V @ 100µA Vgs (Max) 10V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Embalagem do dispositivo fornecedor 4-Power Tab
Série HTMOS™ RDS ON (Max) @ Id, VGS 400 mOhm @ 100mA, 5V
Dissipação de energia (Max) 50W (Tj) Embalagem Bulk
Caixa / Gabinete 4-SIP Temperatura de operação -55°C ~ 225°C (TJ)
Tipo de montagem Through Hole Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 290pF @ 28V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 4.3nC @ 5V Tipo FET N-Channel
Característica FET - Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 5V
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 55V Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C -
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