| Номер изготовителя |
BUK754R7-60E,127 |
категория |
Дискретные полупроводниковые приборы |
| производитель |
NXP Semiconductors / Freescale |
Описание |
MOSFET N-CH 60V 100A TO220AB |
| Пакет / чехол |
Tube |
Кол-во в наличии |
Available Stock |
| Vgs (й) (Max) @ Id |
4V @ 1mA |
Технологии |
MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства |
TO-220AB |
Серии |
TrenchMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs |
4.6 mOhm @ 25A, 10V |
Рассеиваемая мощность (макс) |
234W (Tc) |
| упаковка |
Tube |
Упаковка / |
TO-220-3 |
| Рабочая Температура |
-55°C ~ 175°C (TJ) |
Тип установки |
Through Hole |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds |
6230pF @ 25V |
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs |
82nC @ 10V |
| Тип FET |
N-Channel |
FET Характеристика |
- |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) |
60V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C |
100A (Tc) |
