| Номер изготовителя |
BUK761R3-30E,118 |
категория |
Дискретные полупроводниковые приборы |
| производитель |
NXP Semiconductors / Freescale |
Описание |
MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK |
| Пакет / чехол |
Tape & Reel (TR) |
Кол-во в наличии |
Available Stock |
| Vgs (й) (Max) @ Id |
4V @ 1mA |
Технологии |
MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства |
D2PAK |
Серии |
TrenchMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs |
1.3 mOhm @ 25A, 10V |
Рассеиваемая мощность (макс) |
357W (Tc) |
| упаковка |
Tape & Reel (TR) |
Упаковка / |
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Рабочая Температура |
-55°C ~ 175°C (TJ) |
Тип установки |
Surface Mount |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds |
11960pF @ 25V |
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs |
154nC @ 10V |
| Тип FET |
N-Channel |
FET Характеристика |
- |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) |
30V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C |
120A (Tc) |
