| NTD5862N-1G | |
|---|---|
| Número de pieza | NTD5862N-1G |
| Fabricante | N/A |
| Descripción | MOSFET N-CH 60V 90A DPAK |
| cantidad disponible | 610 pcs new original in stock. Solicitar Stock y Presupuesto |
| Modelo ECAD | |
| Hojas de datos | NTD5862N-1G.pdf |
| NTD5862N-1G Price |
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| Información técnica de NTD5862N-1G | |||
|---|---|---|---|
| Número de pieza del fabricante | NTD5862N-1G | Categoría | Productos Semiconductores Discretos |
| Fabricante | N/A | Descripción | MOSFET N-CH 60V 90A DPAK |
| Paquete / caja | Tube | cantidad disponible | 610 pcs |
| VGS (th) (Max) @Id | 4V @ 250µA | Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | DPAK-3 | Serie | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 5.7 mOhm @ 45A, 10V | La disipación de energía (máximo) | 115W (Tc) |
| embalaje | Tube | Paquete / Cubierta | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 6000pF @ 25V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 82nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Característica de FET | - |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 60V | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 98A (Tc) |
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