| HTNFET-T | |
|---|---|
| Número de pieza | HTNFET-T |
| Fabricante | Honeywell Microelectronics & Precision Sensors |
| Descripción | MOSFET N-CH 55V 4-PIN |
| cantidad disponible | Solicitar Stock y Presupuesto |
| Modelo ECAD | |
| Hojas de datos | HTNFET-T.pdf |
| HTNFET-T Price |
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| Información técnica de HTNFET-T | |||
|---|---|---|---|
| Número de pieza del fabricante | HTNFET-T | Categoría | Productos Semiconductores Discretos |
| Fabricante | Honeywell Microelectronics & Precision Sensors | Descripción | MOSFET N-CH 55V 4-PIN |
| Paquete / caja | Bulk | cantidad disponible | Available Stock |
| VGS (th) (Max) @Id | 2.4V @ 100µA | Vgs (Max) | 10V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | Paquete del dispositivo | 4-Power Tab |
| Serie | HTMOS™ | RDS (Max) @Id, Vgs | 400 mOhm @ 100mA, 5V |
| La disipación de energía (máximo) | 50W (Tj) | embalaje | Bulk |
| Paquete / Cubierta | 4-SIP | Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 225°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole | Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 290pF @ 28V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 4.3nC @ 5V | Tipo FET | N-Channel |
| Característica de FET | - | Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 55V | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | - |
| Partes relacionadas para HTNFET-T | |||||
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| Imagen | Número de pieza | Descripción | Fabricante | Consigue una cotización | |
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HTNFET-DC | MOSFET N-CH 55V 8-DIP | Honeywell Microelectronics & Precision Sensors | ||
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HTNFET-TC | MOSFET N-CH 55V 4-PIN | Honeywell Microelectronics & Precision Sensors | ||
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IPB50R250CPATMA1 | MOSFET N-CH 550V 13A TO-263 | Infineon Technologies | ||
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DMTH10H030LK3-13 | MOSFET NCH 100V 28A TO252 | Diodes Incorporated | ||
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HTNFET-D | MOSFET N-CH 55V 8-DIP | Honeywell Microelectronics & Precision Sensors | ||
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IXFH94N30P3 | MOSFET N-CH 300V 94A TO-247 | IXYS | ||
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