HTNFET-D
Modello di prodotti HTNFET-D
fabbricante Honeywell Microelectronics & Precision Sensors
Descrizione MOSFET N-CH 55V 8-DIP
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Modello ECAD
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Informazioni tecniche di HTNFET-D
codice articolo del costruttore HTNFET-D Categoria Prodotti a semiconduttore discreti
fabbricante Honeywell Microelectronics & Precision Sensors Descrizione MOSFET N-CH 55V 8-DIP
Pacchetto / caso Tube quantità disponibile Available Stock
Vgs (th) (max) a Id 2.4V @ 100µA Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore 8-CDIP-EP Serie HTMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs 400 mOhm @ 100mA, 5V Dissipazione di potenza (max) 50W (Tj)
imballaggio Tube Contenitore / involucro 8-CDIP Exposed Pad
temperatura di esercizio -55°C ~ 225°C (TJ) Tipo montaggio Through Hole
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 290pF @ 28V Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 4.3nC @ 5V
Tipo FET N-Channel Caratteristica FET -
Tensione drain-source (Vdss) 55V Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C -
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