| HTNFET-T | |
|---|---|
| Modello di prodotti | HTNFET-T |
| fabbricante | Honeywell Microelectronics & Precision Sensors |
| Descrizione | MOSFET N-CH 55V 4-PIN |
| quantità disponibile | Richiedi stock e preventivo |
| Modello ECAD | |
| Schede tecniche | HTNFET-T.pdf |
| HTNFET-T Price |
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| Informazioni tecniche di HTNFET-T | |||
|---|---|---|---|
| codice articolo del costruttore | HTNFET-T | Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti |
| fabbricante | Honeywell Microelectronics & Precision Sensors | Descrizione | MOSFET N-CH 55V 4-PIN |
| Pacchetto / caso | Bulk | quantità disponibile | Available Stock |
| Vgs (th) (max) a Id | 2.4V @ 100µA | Vgs (Max) | 10V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | Contenitore dispositivo fornitore | 4-Power Tab |
| Serie | HTMOS™ | Rds On (max) a Id, Vgs | 400 mOhm @ 100mA, 5V |
| Dissipazione di potenza (max) | 50W (Tj) | imballaggio | Bulk |
| Contenitore / involucro | 4-SIP | temperatura di esercizio | -55°C ~ 225°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Through Hole | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 290pF @ 28V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 4.3nC @ 5V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 55V | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | - |
| Parti correlate per HTNFET-T | |||||
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| Immagine | Modello di prodotti | Descrizione | fabbricante | Richiedi un preventivo | |
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HTNFET-DC | MOSFET N-CH 55V 8-DIP | Honeywell Microelectronics & Precision Sensors | ||
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HTNFET-TC | MOSFET N-CH 55V 4-PIN | Honeywell Microelectronics & Precision Sensors | ||
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IPB50R250CPATMA1 | MOSFET N-CH 550V 13A TO-263 | Infineon Technologies | ||
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DMTH10H030LK3-13 | MOSFET NCH 100V 28A TO252 | Diodes Incorporated | ||
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PSMN004-60P,127 | MOSFET N-CH 60V 75A TO220AB | NXP USA Inc. | ||
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PSMN7R5-25YLC,115 | MOSFET N-CH 25V 56A LL LFPAK | NXP USA Inc. | ||
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AUXS20956S | MOSFET N-CH 16SOIC | Infineon Technologies | ||
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STH275N8F7-6AG | MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-6 | N/A | ||
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BSC080N03MSGATMA1 | MOSFET N-CH 30V 53A TDSON-8 | Infineon Technologies | ||
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HTNFET-D | MOSFET N-CH 55V 8-DIP | Honeywell Microelectronics & Precision Sensors | ||
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IXTH30N50L2 | MOSFET N-CH 500V 30A TO-247 | IXYS | ||
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IRFR214 | MOSFET N-CH 250V 2.2A DPAK | Vishay Siliconix | ||
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RRS075P03TB1 | MOSFET P-CH 30V 7.5A 8SOIC | Rohm Semiconductor | ||
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FQPF18N50V2 | MOSFET N-CH 500V 18A TO-220F | N/A | ||
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FDC633N | MOSFET N-CH 30V 5.2A SSOT-6 | N/A | ||
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STW56N65M2 | MOSFET N-CH 650V 49A TO247 | N/A | ||
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IRFS4310ZTRLPBF | MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK | Infineon Technologies | ||
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IRL3402PBF | MOSFET N-CH 20V 85A TO-220AB | Infineon Technologies | ||
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STQ1HNK60R-AP | MOSFET N-CH 600V 400MA TO-92 | N/A | ||
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IXFH94N30P3 | MOSFET N-CH 300V 94A TO-247 | IXYS | ||
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