| HTNFET-DC | |
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| 제품 모델 | HTNFET-DC |
| 제조사 | Honeywell Microelectronics & Precision Sensors |
| 기술 | MOSFET N-CH 55V 8-DIP |
| 가능 수량 | 주식 및 견적 요청 |
| ECAD 모델 | |
| 데이터 시트 | HTNFET-DC.pdf |
| HTNFET-DC Price |
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| HTNFET-DC의 기술 정보 | |||
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| 제조업체 부품 번호 | HTNFET-DC | 범주 | 이산 반도체 제품 |
| 제조사 | Honeywell Microelectronics & Precision Sensors | 기술 | MOSFET N-CH 55V 8-DIP |
| 패키지 / 케이스 | Tube | 가능 수량 | Available Stock |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 2.4V @ 100µA | 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 제조업체 장치 패키지 | - | 연속 | HTMOS™ |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 400 mOhm @ 100mA, 5V | 전력 소비 (최대) | 50W (Tj) |
| 포장 | Tube | 패키지 / 케이스 | 8-CDIP Exposed Pad |
| 작동 온도 | - | 실장 형 | Through Hole |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 290pF @ 28V | 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 4.3nC @ 5V |
| FET 유형 | N-Channel | FET 특징 | - |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 55V | 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | - |
