| HTNFET-T | |
|---|---|
| 제품 모델 | HTNFET-T |
| 제조사 | Honeywell Microelectronics & Precision Sensors |
| 기술 | MOSFET N-CH 55V 4-PIN |
| 가능 수량 | 주식 및 견적 요청 |
| ECAD 모델 | |
| 데이터 시트 | HTNFET-T.pdf |
| HTNFET-T Price |
온라인으로 가격 및 리드 타임 요청 or Email us: Info@ariat.hk |
| HTNFET-T의 기술 정보 | |||
|---|---|---|---|
| 제조업체 부품 번호 | HTNFET-T | 범주 | 이산 반도체 제품 |
| 제조사 | Honeywell Microelectronics & Precision Sensors | 기술 | MOSFET N-CH 55V 4-PIN |
| 패키지 / 케이스 | Bulk | 가능 수량 | Available Stock |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 2.4V @ 100µA | Vgs (최대) | 10V |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | 제조업체 장치 패키지 | 4-Power Tab |
| 연속 | HTMOS™ | 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 400 mOhm @ 100mA, 5V |
| 전력 소비 (최대) | 50W (Tj) | 포장 | Bulk |
| 패키지 / 케이스 | 4-SIP | 작동 온도 | -55°C ~ 225°C (TJ) |
| 실장 형 | Through Hole | 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 290pF @ 28V |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 4.3nC @ 5V | FET 유형 | N-Channel |
| FET 특징 | - | 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 5V |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 55V | 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | - |
