| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต |
GDP50P120B |
ประเภท |
Discrete Semiconductor ผลิตภัณฑ์ |
| ผู้ผลิต |
Global Power Technologies Group |
ลักษณะ |
DIODE SCHOTTKY 1.2KV 50A TO247-2 |
| แพคเกจ / กล่อง |
Tube |
จำนวนที่มีจำหน่าย |
112 pcs |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก |
1.7V @ 50A |
แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) |
1200V (1.2kV) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ |
TO-247-2 |
ความเร็ว |
No Recovery Time > 500mA (Io) |
| ชุด |
Amp+™ |
ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) |
0ns |
| บรรจุภัณฑ์ |
Tube |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ |
TO-247-2 |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction |
-55°C ~ 135°C |
ประเภทการติดตั้ง |
Through Hole |
| ประเภทไดโอด |
Silicon Carbide Schottky |
ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr |
100µA @ 1200V |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) |
50A (DC) |
การประจุกระแสไฟ @ Vr, F |
2984pF @ 1V, 1MHz |
