HTNFET-D
部品型番 HTNFET-D
メーカー Honeywell Microelectronics & Precision Sensors
説明 MOSFET N-CH 55V 8-DIP
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HTNFET-D技術情報
ブランドのモデル名 HTNFET-D プロダクト ディスクリート半導体製品
メーカー Honeywell Microelectronics & Precision Sensors 説明 MOSFET N-CH 55V 8-DIP
パッケージ Tube スポットストック Available Stock
同上@ VGS(TH)(最大) 2.4V @ 100µA 技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ 8-CDIP-EP シリーズ HTMOS™
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 400 mOhm @ 100mA, 5V 電力消費(最大) 50W (Tj)
パッケージング Tube パッケージ/ケース 8-CDIP Exposed Pad
運転温度 -55°C ~ 225°C (TJ) 装着タイプ Through Hole
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 290pF @ 28V ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 4.3nC @ 5V
FETタイプ N-Channel FET特長 -
ソース電圧(VDSS)にドレイン 55V 電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) -
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