| HTNFET-T | |
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| 部品型番 | HTNFET-T |
| メーカー | Honeywell Microelectronics & Precision Sensors |
| 説明 | MOSFET N-CH 55V 4-PIN |
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| ECADモデル | |
| ドキュメント | HTNFET-T.pdf |
| HTNFET-T Price |
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| HTNFET-T技術情報 | |||
|---|---|---|---|
| ブランドのモデル名 | HTNFET-T | プロダクト | ディスクリート半導体製品 |
| メーカー | Honeywell Microelectronics & Precision Sensors | 説明 | MOSFET N-CH 55V 4-PIN |
| パッケージ | Bulk | スポットストック | Available Stock |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.4V @ 100µA | Vgs（最大） | 10V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | サプライヤデバイスパッケージ | 4-Power Tab |
| シリーズ | HTMOS™ | 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 400 mOhm @ 100mA, 5V |
| 電力消費（最大） | 50W (Tj) | パッケージング | Bulk |
| パッケージ/ケース | 4-SIP | 運転温度 | -55°C ~ 225°C (TJ) |
| 装着タイプ | Through Hole | 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 290pF @ 28V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 4.3nC @ 5V | FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - | 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 5V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 55V | 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | - |
