| HTNFET-DC | |
|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | HTNFET-DC |
| ผู้ผลิต | Honeywell Microelectronics & Precision Sensors |
| ลักษณะ | MOSFET N-CH 55V 8-DIP |
| จำนวนที่มีจำหน่าย | ขอรับสต็อกและใบเสนอราคา |
| โมเดล ECAD | |
| แผ่นข้อมูล | HTNFET-DC.pdf |
| HTNFET-DC Price |
ขอราคาและเวลานำส่งออนไลน์ or Email us: Info@ariat.hk |
| ข้อมูลทางเทคนิคของ HTNFET-DC | |||
|---|---|---|---|
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต | HTNFET-DC | ประเภท | Discrete Semiconductor ผลิตภัณฑ์ |
| ผู้ผลิต | Honeywell Microelectronics & Precision Sensors | ลักษณะ | MOSFET N-CH 55V 8-DIP |
| แพคเกจ / กล่อง | Tube | จำนวนที่มีจำหน่าย | Available Stock |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 2.4V @ 100µA | เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | - | ชุด | HTMOS™ |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 400 mOhm @ 100mA, 5V | พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 50W (Tj) |
| บรรจุภัณฑ์ | Tube | หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-CDIP Exposed Pad |
| อุณหภูมิในการทำงาน | - | ประเภทการติดตั้ง | Through Hole |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 290pF @ 28V | ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 4.3nC @ 5V |
| ประเภท FET | N-Channel | คุณสมบัติ FET | - |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 55V | ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | - |
| ส่วนที่เกี่ยวข้องสำหรับ HTNFET-DC | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| ภาพ | รุ่นผลิตภัณฑ์ | ลักษณะ | ผู้ผลิต | ได้รับใบเสนอราคา | |
 |
GP2M004A060HG | MOSFET N-CH 600V 4A TO220 | Global Power Technologies Group | ||
 |
NTHD5904NT1G | MOSFET N-CH 20V 2.5A CHIPFET | N/A | ||
 |
IRF1404ZSPBF | MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK | Infineon Technologies | ||
|
SPB80N06S2L-09 | MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK | Infineon Technologies | ||
 |
HTNFET-TC | MOSFET N-CH 55V 4-PIN | Honeywell Microelectronics & Precision Sensors | ||
|
FQPF5N90 | MOSFET N-CH 900V 3A TO-220F | N/A | ||
|
FDS8878 | MOSFET N-CH 30V 10.2A 8SOIC | N/A | ||
|
NTMFS4921NT1G | MOSFET N-CH 30V 8.8A SO8FL | N/A | ||
 |
IPD70N04S3-07 | MOSFET N-CH 40V 82A TO252-3 | Infineon Technologies | ||
 |
NP32N055SLE-E1-AY | MOSFET N-CH 55V 32A TO-252 | Renesas Electronics America | ||
 |
RSR020P05FRATL | MOSFET P-CH 45V 2A TSMT3 | Rohm Semiconductor | ||
 |
HTNFET-T | MOSFET N-CH 55V 4-PIN | Honeywell Microelectronics & Precision Sensors | ||
 |
APT22F80S | MOSFET N-CH 800V 22A D3PAK | Microsemi Corporation | ||
 |
FKI06190 | MOSFET N-CH 60V 30A TO-220F | Sanken | ||
 |
BSC042N03MSGATMA1 | MOSFET N-CH 30V 93A TDSON-8 | Infineon Technologies | ||
|
HTNFET-D | MOSFET N-CH 55V 8-DIP | Honeywell Microelectronics & Precision Sensors | ||
 |
SIHU5N50D-E3 | MOSFET N-CH 500V 5.3A TO251 IPAK | Vishay Siliconix | ||
|
NTMFS4835NT3G | MOSFET N-CH 30V 12A SO-8FL | N/A | ||
|
STL3N10F7 | MOSFET N-CH 100V 4A POWERFLAT22 | N/A | ||
 |
SIHG33N65E-GE3 | MOSFET N-CH 650V 32.4A TO-247AC | Vishay Siliconix | ||
ข่าว
มากกว่า
คุณสมบัติ ได้แก่ การป้องกันคีย์รหัสผ่าน ตัวเร่งการเ...
อุปกรณ์สี่ชุดสามารถเรียงลำดับได้อย่างเต็มที่โดยอุป...
เทคโนโลยี Xsens ถูกใช้โดย บริษัท เกมคอมพิวเตอร์ผู้ผลิต...
ศูนย์วิจัยการแพทย์ของ Leti and Leti Clinatec จะมุ่งเน้นไปที่ชุ...
เหมาะสำหรับการใช้มอเตอร์แบบซิงโครนัสแบบ DC และแบบแม่...
สินค้าใหม่
มากกว่า
MAX22502E เครื่องรับส่งสัญญาณ RS-485 / RS-422 Maxim Integrated มีตัวรับส...
รีเลย์โซลิดสเตทรีเลย์แบบไม่เป็นศูนย์แบบ RM1A Series รีเล...
เพื่อตอบสนองความท้าทายด้านพลังงานที่หลากหลายของคุณ...
ไดรฟ์ DGD2136 Half-Bridge Gate 3 เฟส ตัวขับประตู 3 เฟส 600 วัตต์แบบค...
คอนแทคซีซีซีรี่ส์ Carrera Gavazzi ซีซีชุด mid-contactors สำหรับใช้...
Email: Info@ariat.hkฮ่องกงโทร: +00 852-30501900เพิ่ม: Rm 2703 27F Ho King Comm Center 2-16,
Fa Yuen St MongKok Kowloon ฮ่องกง
ประกาศลิขสิทธิ์© 1996-2025 Ariat Technology Limited.สงวนลิขสิทธิ์.