| HTNFET-T | |
|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | HTNFET-T |
| ผู้ผลิต | Honeywell Microelectronics & Precision Sensors |
| ลักษณะ | MOSFET N-CH 55V 4-PIN |
| จำนวนที่มีจำหน่าย | ขอรับสต็อกและใบเสนอราคา |
| โมเดล ECAD | |
| แผ่นข้อมูล | HTNFET-T.pdf |
| HTNFET-T Price |
ขอราคาและเวลานำส่งออนไลน์ or Email us: Info@ariat.hk |
| ข้อมูลทางเทคนิคของ HTNFET-T | |||
|---|---|---|---|
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต | HTNFET-T | ประเภท | Discrete Semiconductor ผลิตภัณฑ์ |
| ผู้ผลิต | Honeywell Microelectronics & Precision Sensors | ลักษณะ | MOSFET N-CH 55V 4-PIN |
| แพคเกจ / กล่อง | Bulk | จำนวนที่มีจำหน่าย | Available Stock |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 2.4V @ 100µA | Vgs (สูงสุด) | 10V |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 4-Power Tab |
| ชุด | HTMOS™ | RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 400 mOhm @ 100mA, 5V |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 50W (Tj) | บรรจุภัณฑ์ | Bulk |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 4-SIP | อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 225°C (TJ) |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 290pF @ 28V |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 4.3nC @ 5V | ประเภท FET | N-Channel |
| คุณสมบัติ FET | - | แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 5V |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 55V | ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | - |
| ส่วนที่เกี่ยวข้องสำหรับ HTNFET-T | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| ภาพ | รุ่นผลิตภัณฑ์ | ลักษณะ | ผู้ผลิต | ได้รับใบเสนอราคา | |
 |
HTNFET-DC | MOSFET N-CH 55V 8-DIP | Honeywell Microelectronics & Precision Sensors | ||
|
HTNFET-TC | MOSFET N-CH 55V 4-PIN | Honeywell Microelectronics & Precision Sensors | ||
 |
IPB50R250CPATMA1 | MOSFET N-CH 550V 13A TO-263 | Infineon Technologies | ||
 |
DMTH10H030LK3-13 | MOSFET NCH 100V 28A TO252 | Diodes Incorporated | ||
 |
PSMN004-60P,127 | MOSFET N-CH 60V 75A TO220AB | NXP USA Inc. | ||
 |
PSMN7R5-25YLC,115 | MOSFET N-CH 25V 56A LL LFPAK | NXP USA Inc. | ||
 |
AUXS20956S | MOSFET N-CH 16SOIC | Infineon Technologies | ||
 |
STH275N8F7-6AG | MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-6 | N/A | ||
 |
BSC080N03MSGATMA1 | MOSFET N-CH 30V 53A TDSON-8 | Infineon Technologies | ||
|
HTNFET-D | MOSFET N-CH 55V 8-DIP | Honeywell Microelectronics & Precision Sensors | ||
 |
IXTH30N50L2 | MOSFET N-CH 500V 30A TO-247 | IXYS | ||
 |
IRFR214 | MOSFET N-CH 250V 2.2A DPAK | Vishay Siliconix | ||
 |
RRS075P03TB1 | MOSFET P-CH 30V 7.5A 8SOIC | Rohm Semiconductor | ||
|
FQPF18N50V2 | MOSFET N-CH 500V 18A TO-220F | N/A | ||
|
FDC633N | MOSFET N-CH 30V 5.2A SSOT-6 | N/A | ||
|
STW56N65M2 | MOSFET N-CH 650V 49A TO247 | N/A | ||
|
IRFS4310ZTRLPBF | MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK | Infineon Technologies | ||
 |
IRL3402PBF | MOSFET N-CH 20V 85A TO-220AB | Infineon Technologies | ||
|
STQ1HNK60R-AP | MOSFET N-CH 600V 400MA TO-92 | N/A | ||
|
IXFH94N30P3 | MOSFET N-CH 300V 94A TO-247 | IXYS | ||
ข่าว
มากกว่า
คุณสมบัติ ได้แก่ การป้องกันคีย์รหัสผ่าน ตัวเร่งการเ...
อุปกรณ์สี่ชุดสามารถเรียงลำดับได้อย่างเต็มที่โดยอุป...
เทคโนโลยี Xsens ถูกใช้โดย บริษัท เกมคอมพิวเตอร์ผู้ผลิต...
ศูนย์วิจัยการแพทย์ของ Leti and Leti Clinatec จะมุ่งเน้นไปที่ชุ...
เหมาะสำหรับการใช้มอเตอร์แบบซิงโครนัสแบบ DC และแบบแม่...
สินค้าใหม่
มากกว่า
MAX22502E เครื่องรับส่งสัญญาณ RS-485 / RS-422 Maxim Integrated มีตัวรับส...
รีเลย์โซลิดสเตทรีเลย์แบบไม่เป็นศูนย์แบบ RM1A Series รีเล...
เพื่อตอบสนองความท้าทายด้านพลังงานที่หลากหลายของคุณ...
ไดรฟ์ DGD2136 Half-Bridge Gate 3 เฟส ตัวขับประตู 3 เฟส 600 วัตต์แบบค...
คอนแทคซีซีซีรี่ส์ Carrera Gavazzi ซีซีชุด mid-contactors สำหรับใช้...
Email: Info@ariat.hkฮ่องกงโทร: +00 852-30501900เพิ่ม: Rm 2703 27F Ho King Comm Center 2-16,
Fa Yuen St MongKok Kowloon ฮ่องกง
ประกาศลิขสิทธิ์© 1996-2025 Ariat Technology Limited.สงวนลิขสิทธิ์.